Тищенко, Е. Н. RAPD-анализ клеточной линии сои с перекрестной устойчивостью к оксианионам вольфрама и ванадия [Текст] / Е.Н. Тищенко, С.И. Михальская, Л.Е. Сергеева // Цитология и генетика. - 2009. - Т. 43, N 4. - С. 39-44.
Рубрики: СОЯ--SOYBEANS ВАНАДИЯ СОЕДИНЕНИЯ--VANADIUM COMPOUNDS ВОЛЬФРАМА СОЕДИНЕНИЯ--TUNGSTEN COMPOUNDS ГЕНОМ РАСТЕНИЙ--GENOME, PLANT ОКРУЖАЮЩАЯ СРЕДА, ЗАГРЯЗНЕНИЕ--ENVIRONMENTAL POLLUTION Анотація: Исследовали влияние оксианионов ванадия на геном сои (Glycine max L., Merr.) в устойчивой к вольфраму (WR) клеточной линии. WR-линия показывает перекрест- ную устойчивость к оксианионам V5+. Установлено наличие одинаковых по размеру RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК исходного каллуса и WR-линии, которая последовательно культивируется в присутствии летальных доз оксианионов W6+ и V5+. Предположено, что в геноме сои имеются локусы, повышенная нестабильность которых обусловлена действием разных стрессоров. Дод.точки доступу: Михальская, С.И.; Сергеева, Л.Е. Примірників всього: 1 ЧЗ (1) Свободны: ЧЗ (1) |